产品知识-第61页

肖特基二极管结构具有较低的串联电阻和较强的非线性，适用于射频电路

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快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片

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电路的反向泄露是怎样小于肖特基二极管的呢？下面我们通过公式的换算来体现一下

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在这里我们不讨论产生二极管正向恢复现象的原因，不过可以这样认为，这是半导体器件的固有的属性

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外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区

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在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。

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